[发明专利]一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管有效
| 申请号： | 201811592251.8 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109671768B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 陈万军;李佳;肖立杨;李茂林;信亚杰;施宜军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/778;H01L23/373 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 孙一峰 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明设计功率半导体技术，具体的说是一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管。本发明的GaN异质结场效应晶体管，主要为通过在势垒层插入AlN区域来降低沟道峰值电场，进而达到增大耐压和减少散热的目的。另外，本发明采用导热特性良好的AlN作为器件的钝化层，不仅有助于抑制电流崩塌，还起到了加快散热的作用。本发明的优异效果为，提高了器件的反向耐压，改善了器件的输出特性，并降低了器件的沟道温度，从而抑制了电流崩塌和自热效应带来的危害。本发明尤其适用于具有高耐压能力和低沟道温度的GaN异质结场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低结温高 耐压 gan 异质结 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种低结温高耐压的GaN异质结场效应晶体管，从下到上依次包括层叠设置的SiC衬底(9)、GaN缓冲层(7)、GaN沟道层(5)、AlGaN势垒层(3)以及AlN钝化层(1)；在AlGaN势垒层(3)两端的上表面，具有欧姆金属源极(11)和欧姆金属漏极(12)，在AlGaN势垒层(3)中部的上表面，具有栅电极(10)，所述栅电极(10)为肖特基接触；其特征在于，所述栅电极(10)正下方的AlGaN势垒层(3)上层，具有AlN势垒区域(2)，且AlN势垒区域(2)还向靠近欧姆金属漏极(12)的一侧延伸；所述AlN势垒区域(2)用于减小沟道中的峰值电场、提高击穿电压并降低沟道温度；所述SiC衬底(9)和GaN缓冲层(7)之间还具有AlN成核层(8)，AlN成核层(8)用于减小GaN缓冲层(7)与SiC衬底(9)之间因晶格失配而导致的界面张力；所述GaN缓冲层(7)和GaN沟道层(5)之间具有InGaN背势垒层(6)，InGaN背势垒层(6)用于抑制电流崩塌效应；所述GaN沟道层(5)和AlGaN势垒层(3)之间具有AlN插入层(4)，AlN插入层(4)与GaN沟道层(5)和AlGaN势垒层(3)一起形成二维电子气沟道。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811592251.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
