[发明专利]基片处理方法和基片处理装置在审
| 申请号： | 201811590737.8 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110010459A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 高山和也 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够缩短处理液的补充时间的基片处理方法和基片处理装置。实施方式的基片处理方法将基片浸渍在含有药液和硅的处理液中以进行蚀刻处理，包括准备步骤和补充步骤。准备步骤中，根据药液的补充量和硅的补充量来设定药液的供给流量。补充步骤中，以设定的供给流量供给药液，同时使设定的补充量的硅溶解在处理液中。 | ||
| 搜索关键词： | 基片处理 补充量 基片处理装置 处理液中 供给流量 补充 浸渍 供给药液 蚀刻处理 处理液 硅溶解 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理方法，其将基片浸渍在含有药液和硅的处理液中以进行蚀刻处理，所述基片处理方法的特征在于，包括：准备步骤，其中根据所述药液的补充量和所述硅的补充量，来设定所述药液的供给流量；和补充步骤，其中以设定的所述供给流量供给所述药液，同时使设定的补充量的所述硅溶解在所述处理液中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
