[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明属于薄膜晶体管领域，本发明要求保护一种金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括：绝缘衬底，栅电极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，源电极，漏电极。其中，绝缘衬底位于有机薄膜晶体管的最底层，栅电极，栅极绝缘层，金属氧化物半导体层，自下而上依次叠覆于该绝缘衬底之上，源电极和漏电极分别地位于金属氧化物半导体层之上。本发明的金属氧化物半导体薄膜的制备方法通过在前驱体溶液中加入碱金属化合物，提高了现有技术中采用水溶液法制备的ZnO基薄膜晶体管的性能以及载流子迁移率，且制备工艺简单，生产成本较低，整个工艺温度控制在300℃以内。

主权项

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的方法，所述金属氧化物薄膜晶体管包括柔性绝缘衬底，栅电极，绝缘层，半导体层，源电极和漏电极，其制备方法包括：：(a)在绝缘衬底的上表面上形成栅电极；(b)配制水为溶剂的栅极绝缘层前驱体水溶液，然后用旋涂法在栅电极和柔性绝缘衬底上覆盖形成栅极绝缘层；(c)配制水为溶剂的半导体层前驱体水溶液，然后用旋涂法在绝缘层上形成金属氧化物半导体层；(d)在金属氧化物半导体层上分别形成源电极和漏电极；(f)在源电极和漏电极之间形成半导体沟道层。