[发明专利]太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池在审
| 申请号： | 201811589712.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110010720A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 益子庆一郎;村上洋平;平野浩一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 太阳能单电池(1)的制造方法包括：在光电转换部(20)的背面上形成p型表面(20bp)和n型表面(20bn)的工序；在p型表面和n型表面上形成基底层(13)和导电层(14)的工序；在导电层的与分离槽(70)对应的区域上形成抗蚀剂膜(71)的工序；将形成了抗蚀剂膜(71)的导电层(14)作为种子层，通过电解镀依次形成n侧导电层(45)和p侧导电层(55)、含锡的n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的工序；在n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)上形成将n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的表面合金化的n侧金属层(47)和p侧金属层(57)的工序；和分别对导电层和基底层进行蚀刻的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 导电层 单电池 太阳能 抗蚀剂膜 基底层 金属层 蚀刻 表面合金化 光电转换部 电解镀 分离槽 种子层 制造 背面 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能单电池的制造方法，该太阳能单电池在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，所述太阳能单电池的制造方法的特征在于，包括：在所述半导体衬底的所述一个面上形成p型区域和n型区域的工序；在所述p型区域和所述n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；在所述第1导电层的与所述分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；将形成了所述抗蚀剂膜的所述第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层、含Sn的Sn层的工序；在所述Sn层上形成将所述Sn层的表面合金化的金属层的工序；和分别对所述第1导电层和所述基底层进行蚀刻的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
