[发明专利]太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池

说明书

太阳能单电池(1)的制造方法包括：在光电转换部(20)的背面上形成p型表面(20bp)和n型表面(20bn)的工序；在p型表面和n型表面上形成基底层(13)和导电层(14)的工序；在导电层的与分离槽(70)对应的区域上形成抗蚀剂膜(71)的工序；将形成了抗蚀剂膜(71)的导电层(14)作为种子层，通过电解镀依次形成n侧导电层(45)和p侧导电层(55)、含锡的n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的工序；在n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)上形成将n侧Sn层(46)和p侧Sn层(56)的表面合金化的n侧金属层(47)和p侧金属层(57)的工序；和分别对导电层和基底层进行蚀刻的工序。

技术领域

本发明涉及太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池。

背景技术

已经公开了一种太阳能单电池的制造方法(例如参照专利文献1)，其包括：在半导体衬底的一个面上形成p型区域和n型区域的工序；在p型区域和n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；在第1导电层的与分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；将形成有抗蚀剂膜的第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层和Sn层的工序；将Sn层的表面氧化来形成表面氧化膜的工序；和除去抗蚀剂膜并分别对第1导电层和基底层进行蚀刻的工序。

在该太阳能单电池的制造方法中，能够提高背面接合型的太阳能单电池制造的成品率和经济性。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-185658号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，在现有的太阳能单电池的制造方法中，在对基底层进行蚀刻的情况下，使用盐酸-过氧化氢等蚀刻液进行蚀刻，但此时也会将形成于第2导电层上的Sn层溶解。因此，迫切要求对Sn层的溶解进行抑制。

因此，本发明的目的在于提供一种能够抑制Sn层溶解的太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池。

用于解决课题的方法

为了达到上述目的，本发明的一个方式的太阳能单电池的制造方法在于，该太阳能单电池在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，上述太阳能单电池的制造方法包括：在上述半导体衬底的上述一个面上形成p型区域和n型区域的工序；在上述p型区域和上述n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；在上述第1导电层的与上述分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；将形成了上述抗蚀剂膜的上述第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层、含锡(Sn)的Sn层的工序；在上述Sn层上形成将上述Sn层的表面合金化的金属层的工序；和分别对上述第1导电层和上述基底层进行蚀刻的工序。

另外，本发明的一个方式的太阳能单电池，其在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，上述太阳能单电池包括：在上述半导体衬底的上述一个面上具有p型区域和n型区域的半导体衬底；分别形成于上述p型区域和上述n型区域上的基底层；形成于上述基底层上的第1导电层；形成于上述第1导电层上的第2导电层；和覆盖上述第2导电层的Sn层，上述Sn层的表面被合金化。

发明效果

根据本发明，能够抑制Sn层的溶解。

附图说明

图1是从背面侧所看到的实施方式的太阳能单电池的平面图。

图2是表示在图1的Ⅱ-Ⅱ线切断太阳能单电池时的截面图。

图3是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的工序的流程图。

图4是表示实施方式的太阳能单电池的制造方法的工序的截面图。

图5是表示变形例的太阳能单电池的制造方法的工序的流程图。