[发明专利]太阳能单电池的制造方法和太阳能单电池在审
| 申请号： | 201811589712.6 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN110010720A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 益子庆一郎;村上洋平;平野浩一 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电层 单电池 太阳能 抗蚀剂膜 基底层 金属层 蚀刻 表面合金化 光电转换部 电解镀 分离槽 种子层 制造 背面 | ||
1.一种太阳能单电池的制造方法，该太阳能单电池在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，所述太阳能单电池的制造方法的特征在于，包括：
在所述半导体衬底的所述一个面上形成p型区域和n型区域的工序；
在所述p型区域和所述n型区域上形成基底层和第1导电层的工序；
在所述第1导电层的与所述分离槽对应的区域上形成抗蚀剂膜的工序；
将形成了所述抗蚀剂膜的所述第1导电层作为种子层，通过电解镀依次形成第2导电层、含Sn的Sn层的工序；
在所述Sn层上形成将所述Sn层的表面合金化的金属层的工序；和
分别对所述第1导电层和所述基底层进行蚀刻的工序。
2.如权利要求1所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：
在对所述第1导电层和所述基底层分别进行了蚀刻的工序后，还包括从所述Sn层除去所述金属层的工序。
3.如权利要求1或2所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：
所述金属层的膜厚比所述第1导电层的膜厚厚。
4.如权利要求1或2所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：
所述第1导电层由Cu层构成。
5.如权利要求1或2所述的太阳能单电池的制造方法，其特征在于：
所述第2导电层由Cu层构成。
6.一种太阳能单电池，其在半导体衬底的一个面上形成有用分离槽相互分离的p侧电极和n侧电极，所述太阳能单电池的特征在于，包括：
在所述半导体衬底的所述一个面上具有p型区域和n型区域的半导体衬底；
分别形成于所述p型区域和所述n型区域上的基底层；
形成于所述基底层上的第1导电层；
形成于所述第1导电层上的第2导电层；和
覆盖所述第2导电层的Sn层，
所述Sn层的表面被合金化。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
