[发明专利]发光晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811588369.3 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111370587B | 公开（公告）日： | 2022-12-20 |
| 发明（设计）人： | 柯秋坛 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑彤 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种发光晶体管及其制备方法。发光晶体管包括依次层叠设置的基板、栅极、绝缘层、源极、发光结构以及漏极；源极包括第一齿柄以及若干个与第一齿柄连接的第一齿条；发光结构，位于源极上并且覆盖绝缘层，发光结构包括层叠设置的场效应半导体层和发光层；漏极包括第二齿柄以及若干个与第二齿柄连接的第二齿条；在平行于绝缘层表面的平面上，至少一个第一齿条远离第一柄齿的一端的投影位于两个第二齿条的投影的齿隙内，或者至少一个第二齿条远离第二柄齿的一端的投影位于两个第一齿条的投影的齿隙内。上述发光晶体管的源极和漏极增加了沟道宽度，能够在较低的驱动电压下产生较大的沟道电流，有利于提高发光器件的发光效率和发光强度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
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