[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪有效

专利信息
申请号: 201811588200.8 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN110034222B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 加濑谷浩康 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;邓毅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 提供发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪,能够提高发光元件与安装基板之间的连接稳定性。发光装置包含:发光元件,其包含第1基体和设置于所述第1基体的层叠体;以及第2基体,所述发光元件设置于所述第2基体,所述层叠体包含:第1柱状部,其具有第1高度;以及第2柱状部,其具有小于所述第1高度的第2高度,在所述层叠体与所述第2基体之间,所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接,在所述层叠体与所述第2基体之间,所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接,所述第1导电部件具有第3高度,所述第2导电部件具有大于所述第3高度的第4高度。
搜索关键词: 发光 装置 制造 方法 以及 投影仪
【主权项】:
1.一种发光装置,其包含:第1基体;第2基体;以及层叠体,其设置在所述第1基体与所述第2基体之间,所述层叠体包含:缓冲层,其与所述第1基体接触;第1柱状部,其设置在所述缓冲层与所述第2基体之间,具有第1高度;以及第2柱状部,其设置在所述缓冲层与所述第2基体之间,具有小于所述第1高度的第2高度,所述第1柱状部和所述第2柱状部分别包含:第1半导体层;第2半导体层,其导电类型与所述第1半导体层不同;以及发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,能够通过注入电流而发光,在所述层叠体与所述第2基体之间,所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接,在所述层叠体与所述第2基体之间,所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接,所述第1导电部件具有第3高度,所述第2导电部件具有大于所述第3高度的第4高度。
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