[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪有效

专利信息
申请号: 201811588200.8 申请日: 2018-12-25
公开(公告)号: CN110034222B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 加濑谷浩康 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;邓毅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 制造 方法 以及 投影仪
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其包含:

第1基体;

第2基体;以及

层叠体,其设置在所述第1基体与所述第2基体之间,

所述第1基体为板状,所述第1基体具有透光性,从所述层叠体射出的光透过所述第1基体,

所述层叠体包含:

缓冲层,其与所述第1基体接触;

第1柱状部,其设置在所述缓冲层与所述第2基体之间,沿第1方向具有第1高度;以及

第2柱状部,其设置在所述缓冲层与所述第2基体之间,所述第2柱状部沿所述第1方向具有小于所述第1高度的第2高度,

所述第1柱状部和所述第2柱状部分别包含:

第1半导体层;

第2半导体层,其导电类型与所述第1半导体层不同;以及

发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,能够通过注入电流而发光,

在所述层叠体与所述第2基体之间,所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接,

在所述层叠体与所述第2基体之间,所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接,

所述第1导电部件沿所述第1方向具有第3高度,

所述第2导电部件沿所述第1方向具有大于所述第3高度的第4高度,

所述第1柱状部的沿所述第1方向的侧壁经由第1绝缘层与所述第2柱状部的沿所述第1方向的侧壁相邻。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

在所述第1基体与所述第2基体之间设置有第2绝缘层,

在设置于所述第2绝缘层的第1开口部中设置有所述第1导电部件,

在设置于所述第2绝缘层的第2开口部中设置有所述第2导电部件。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其中,

在所述第1柱状部中所述发光层发出的光的波长与在所述第2柱状部中所述发光层发出的光的波长是不同的。

4.一种发光装置的制造方法,包含如下的工序:

在第1基体上形成层叠体而形成发光元件,该层叠体包含沿第1方向具有第1高度的第1柱状部、和沿所述第1方向具有小于所述第1高度的第2高度的第2柱状部;

在所述第1柱状部上形成沿所述第1方向具有第3高度的第1导电部件,在所述第2柱状部上形成沿所述第1方向具有大于所述第3高度的第4高度的第2导电部件;以及

将所述发光元件安装于第2基体,

所述第1基体为板状,所述第1基体具有透光性,从所述层叠体射出的光透过所述第1基体,

所述第1柱状部的沿所述第1方向的侧壁经由第1绝缘层与所述第2柱状部的沿所述第1方向的侧壁相邻,

所述第1柱状部和所述第2柱状部分别包含:

第1半导体层;

第2半导体层,其导电类型与所述第1半导体层不同;以及

发光层,其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间,能够通过注入电流而发光,

在形成所述发光元件的工序中,

在所述第1基体上形成了缓冲层后,在所述缓冲层上形成所述第1柱状部和所述第2柱状部,

在将所述发光元件安装于所述第2基体的工序中,

在所述层叠体与所述第2基体之间,经由第1导电部件将所述第1柱状部与所述第2基体电连接,在所述层叠体与所述第2基体之间,经由第2导电部件将所述第2柱状部与所述第2基体电连接。

5.一种投影仪,其包含权利要求1~3中的任意一项所述的发光装置。

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