[发明专利]发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪

说明书

提供发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪，能够提高发光元件与安装基板之间的连接稳定性。发光装置包含：发光元件，其包含第1基体和设置于所述第1基体的层叠体；以及第2基体，所述发光元件设置于所述第2基体，所述层叠体包含：第1柱状部，其具有第1高度；以及第2柱状部，其具有小于所述第1高度的第2高度，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接，所述第1导电部件具有第3高度，所述第2导电部件具有大于所述第3高度的第4高度。

技术领域

本发明涉及发光装置、发光装置的制造方法以及投影仪。

背景技术

作为半导体激光器或发光二极管等发光元件，应用了纳米构造体(纳米柱)的发光元件正备受瞩目。在应用了纳米构造体的发光元件中，能够减少在构成发光元件的半导体层上产生的错位或缺陷，能够获得高品质的晶体。因此，在应用了纳米构造体的发光元件中，能够具有优异的发光特性。

作为发光元件的安装方法，公知有结在下(junction down)安装。通过对发光元件进行结在下安装，能够高效地散出发光元件所产生的热。

例如，在专利文献1中，公开了将具有纳米柱的发光元件倒装芯片安装在陶瓷封装中的方法。具体来说，在多个纳米柱上形成p型电极层(透明导电膜)，用Au凸块将p型电极层接合到设置于陶瓷封装的p型布线。这样，在专利文献1中，具有纳米柱的发光元件被结在下安装在陶瓷封装中。

专利文献1：日本特开2009-9978号公报

这里，在应用了纳米构造体的发光元件中，通过改变纳米构造体的直径或周期，能够进行波长的控制。因此，能够从形成在1个基板上的多个纳米构造体射出不同波长的光，从而能够利用1个基板来实现多色发光的发光元件。

但是，在这样的发光元件中，通过改变形成在同一基板上的纳米构造体的直径或周期，纳米构造体的高度有时会不同。因此，在将这样的发光元件结在下安装于安装基板的情况下，高度较低的纳米构造体与安装基板之间的间隙比高度较高的纳米构造体与安装基板之间的间隙大。由此，在高度较低的纳米构造体与安装基板之间引起接触不良的可能性较高。

发明内容

本发明的几个方式的目的之一在于，提供能够提高发光元件与安装基板之间的连接稳定性的发光装置。或者，本发明的几个方式的目的之一在于，提供能够提高发光元件与安装基板之间的连接稳定性的发光装置的制造方法。或者，本发明的几个方式的目的之一在于，提供包含上述发光装置的投影仪。

本发明的发光装置包含：发光元件，其包含第1基体和设置于所述第1基体的层叠体；以及第2基体，所述发光元件设置于所述第2基体，所述层叠体包含：第1半导体层；第2半导体层，其导电类型与所述第1半导体层不同；以及发光层，其设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间，能够通过注入电流而发光，所述层叠体包含：第1柱状部，其具有第1高度；以及第2柱状部，其具有小于所述第1高度的第2高度，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第1柱状部和所述第2基体经由第1导电部件而被电连接，在所述层叠体与所述第2基体之间，所述第2柱状部和所述第2基体经由第2导电部件而被电连接，所述第1导电部件具有第3高度，所述第2导电部件具有大于所述第3高度的第4高度。

在这样的发光装置中，由于第2导电部件的高度比第1导电部件的高度大，所以能够降低在第2柱状部与第2基体之间引起接触不良的可能性。因此，在这样的发光装置中，能够提高发光元件与第2基体(安装基板)之间的连接稳定性。

另外，在本发明的记载中，将记作“电连接”的用语例如使用于与“特定的部件(以下，称为“A部件”)“电连接”的其他特定的部件(以下，称为“B部件”)”等。在本发明的记载中，在该例的情况下，使用“电连接”之类的用语包括A部件与B部件直接接触而电连接的情况以及A部件与B部件经由其他部件电连接的情况。