[发明专利]PERC太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811585689.3 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN109698246A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 王霆;芦政;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司;苏州大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/04;H01L31/18 |
| 代理公司： | 宁波高新区核心力专利代理事务所(普通合伙) 33273 | 代理人： | 袁丽花 |
| 地址： | 314000 浙江省嘉兴市秀洲*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PERC太阳电池及其制备方法，所述PERC太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合结构包括位于硅片第二表面上的钝化层、位于钝化层上的介质层、及位于介质层内或介质层表层的金属纳米颗粒阵列层。本发明中PERC太阳电池的长波响应得到明显的提升，电池正面光电转换效率有一定的提高；背面反射率明显下降，提高了背面的光吸收，从而大幅提高了电池背面的光电转换效率；PERC太阳电池的双面率得到了有效的提高，取得了意想不到的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 介质层 硅片 光电转换效率 第二表面 第一表面 复合结构 钝化层 制备 金属纳米颗粒 长波响应 电池正面 硅片表面 相对设置 反射率 光吸收 阵列层 背面 电池 | ||
【主权项】：
1.一种PERC太阳电池，其特征在于，所述PERC太阳电池包括硅片及位于硅片表面的复合结构，所述硅片包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面下方形成有PN结，所述复合结构包括位于硅片第二表面上的钝化层、位于钝化层上的介质层、及位于介质层内或介质层表层的金属纳米颗粒阵列层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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