[发明专利]TFT阵列基板的制作方法有效
| 申请号： | 201811585464.8 | 申请日： | 2018-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN109686698B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 郑明丰 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种TFT阵列基板的制作方法。该TFT阵列基板的制作方法通过PFA工艺在色阻层上形成平坦层，该平坦层上会产生一些缺陷，然后对缺陷进行研磨修补，去除缺陷，研磨修补会在缺陷处使平坦层及色阻层磨破以暴露出钝化层，在暴露出的钝化层上形成一层保护膜，然后在所述平坦层上形成一层电极薄膜，对电极薄膜图案化处理形成像素电极层时，可以防止图案化处理时破坏钝化层，避免像素电极层与TFT层短路，提高研磨修补成功率。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成TFT层(20)，在所述TFT层(20)上形成钝化层(30)，在所述钝化层(30)上形成色阻层(40)；步骤S2、通过PFA工艺在所述色阻层(40)上形成平坦层(50)，该平坦层(50)上具有缺陷(51)；步骤S3、对所述平坦层(50)上的缺陷(51)进行研磨修补以去除缺陷(51)，该研磨修补会在缺陷(51)处使平坦层(50)及色阻层(40)磨破以暴露出钝化层(30)；步骤S4、在暴露出的钝化层(30)上形成一层保护膜(31)；步骤S5、在所述平坦层(50)上形成一层电极薄膜(60’)，对电极薄膜(60’)图案化处理形成像素电极层(60)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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