[发明专利]微波组件深腔的裸芯片或模块深腔的裸芯片的返工方法有效
申请号: | 201811572582.5 | 申请日: | 2018-12-21 |
公开(公告)号: | CN109671615B | 公开(公告)日: | 2020-10-16 |
发明(设计)人: | 史保;何丹;杨磊 | 申请(专利权)人: | 成都嘉泰华力科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67;B09B3/00 |
代理公司: | 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 | 代理人: | 袁英 |
地址: | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了微波组件深腔的裸芯片或模块深腔的裸芯片的返工方法,它包括准备、确定被返工芯片参数、设置加热台温度、测试模拟件组件或模块温度、加热返工组件或模块、拆需要返工的裸芯片、清理清洁和检测八个步骤,本发明涉及的工艺方法可将采用H20E导电胶粘接的裸芯片完整拆取而不破坏裸芯片结构,成功率高达90%,同时所用工具简单,节约成本。 | ||
搜索关键词: | 微波 组件 芯片 模块 返工 方法 | ||
【主权项】:
1.一种微波组件或模块深腔中裸芯片的返工方法,其特征在于,它包括如下步骤:S1、确定被返工芯片参数:查阅芯片数据手册,根据数据手册记录的待拆卸裸芯片的额定参数,找出裸芯片的最低操作温度和结温并确认裸芯片操作温度和结温是否适合返工,查阅范围包括微波组件或模块上已经完成粘接的所有裸芯片;S2、设置加热台温度:如裸芯片的操作温度和结温指标适合于返工操作,则根据芯片数据手册确定的操作温度与结温来设置加热台的温度;S3、测试模拟微波组件或模块温度:在加热台上放置一个与含返工裸芯片的微波组件或模块一样的腔体,在腔体上随机均匀地选多个点测试其温度值,确保实际测试温度在芯片数据手册推荐的操作温度与结温的温度范围内,并对达到温度范围所需要的加热时间作记录;S4、加热返工组件或模块:根据模拟组件或模块温度达到操作温度和结温的时间来加热含待返工裸芯片的微波组件或模块;S5、拆卸需要返工的裸芯片:返工裸芯片达到热平衡后,拆卸返工裸芯片;S6、清理和清洁:将被拆下的裸芯片背面以及模块中残留的导电胶清理干净;S7、检测:在高倍显微镜下观察被拆裸芯片是否存在划伤、裂纹、崩边。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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