[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法和液晶显示屏有效
| 申请号： | 201811568574.3 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109659371B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李明娟 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制作方法和液晶显示屏。所述薄膜晶体管包括：基板；位于所述基板上方的有源区；于所述有源区中心的沟道区；位于所述沟道区两侧的源漏区；位于所述沟道区上方的栅极介质层；位于所述栅极介质层上方的反射涂层；位于所述反射涂层上方的栅极金属；覆盖所述栅极金属、有源区和基板的层间介质层；贯穿所述层间介质层，与所述源漏区表面电连接的金属插塞。本发明通过提高液晶显示屏的薄膜晶体管的不透光区的反射率，从而提高了液晶显示屏的透光率，改善了液晶显示屏的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 液晶显示屏 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；位于所述基板上方的有源区；位于所述有源区中心的沟道区；位于所述沟道区两侧的源漏区；位于所述沟道区上方的栅极介质层；位于所述栅极介质层上方的反射涂层；位于所述反射涂层上方的栅极金属；覆盖所述栅极金属、有源区和基板的层间介质层；贯穿所述层间介质层，与所述源漏区表面电连接的金属插塞。
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