[发明专利]一种AgBiS2半导体薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种AgBiS₂半导体薄膜的制备方法，该方法是先分别制备含有银的溶液和含有铋的溶液，然后再将两种溶液混合，加入硫脲后加热搅拌，再加入添加剂混合得到稳定、粘度合适的前驱体溶液，然后镀膜、预烧得到预制层，最后再经过退火工艺，提升薄膜的结晶性，最终制备出AgBiS₂半导体薄膜。该方法具有操作简单、反应条件温和、对设备要求低、成本低廉、易于工业化生产的优点，制备的AgBiS₂半导体薄膜成膜质量佳，颗粒较大，物相纯正，有利于提高薄膜材料的光伏性能，且薄膜的光吸收系数高，禁带宽度合适，电学性能好，载流子迁移率高，非常适合作为薄膜太阳的电池吸收层材料。

主权项

1.一种AgBiS₂半导体薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：1)将银源溶于溶剂I，得到溶液A；将铋源溶于溶剂II，得到溶液B；2)将溶液A和溶液B混合均匀，加入过量的硫脲，加热并充分搅拌后得到前驱体溶液；3)向前驱体溶液加入添加剂并进行搅拌，然后在衬底上进行涂敷，预烧，重复数次后得到预制层；4)所述预制层置于含硫的气氛中进行退火处理，得到AgBiS₂半导体薄膜。