[发明专利]发光显示面板在审
申请号: | 201811563285.4 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109994523A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 宋贤奎;丁憙星;金多慧;金仙花 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种发光显示面板。通过控制设置在显示面板上的上堆叠结构的光学厚度,能够周期性地控制从电子装置发射的光的三刺激值Xr和三刺激值Yg。通过上堆叠结构的厚度和折射率来确定光学厚度。该控制可以周期性地减小三刺激值Xr或者周期性地增大三刺激值Yg。可以周期性地减小三刺激值Xr并且可以同时周期性地增大三刺激值Yg。 | ||
搜索关键词: | 刺激 发光显示面板 堆叠结构 减小 从电子装置 控制设置 显示面板 折射率 发射 | ||
【主权项】:
1.一种发光显示面板,所述发光显示面板包括:基体层;发光元件,包括设置在所述基体层上的第一电极、设置在所述第一电极上的发光层和设置在所述发光层上的第二电极;以及堆叠结构,设置在所述发光元件上并且包括多个层,其中,所述多个层之中的第一层至第q层满足下面的式1和2中的至少一个,所述第一层与所述第二电极接触,[式1]
[式2]
在式1和2中,m为0和自然数,n1,z至nq,z是在所述第一层至所述第q层中的每个的厚度方向上的折射率,d1至dq是所述第一层至所述第q层的各厚度,θair为20°至40°,式1中的λ为610nm或更大且645nm或更小,式2中的λ为515nm或更大且545nm或更小,在式1和2中,Ф1,CE为下面的式3,[式3]
在式3中,r1,CE被定义为所述第一层关于所述发光元件的反射系数,如果Im(r1,CE)≥0,那么0≤Ф1,CE≤π,如果Im(r1,CE)<0,那么π<Ф1,CE<2π,并且在式1和2中,如果所述第q层的所述折射率大于第q+1层的所述折射率,那么Фq,q+1是π,如果所述第q层的所述折射率小于所述第q+1层的所述的折射率,那么Фq,q+1是0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的