[发明专利]发光显示面板在审
申请号: | 201811563285.4 | 申请日: | 2018-12-20 |
公开(公告)号: | CN109994523A | 公开(公告)日: | 2019-07-09 |
发明(设计)人: | 宋贤奎;丁憙星;金多慧;金仙花 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;田野 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 刺激 发光显示面板 堆叠结构 减小 从电子装置 控制设置 显示面板 折射率 发射 | ||
1.一种发光显示面板,所述发光显示面板包括:
基体层;
发光元件,包括设置在所述基体层上的第一电极、设置在所述第一电极上的发光层和设置在所述发光层上的第二电极;以及
堆叠结构,设置在所述发光元件上并且包括多个层,
其中,所述多个层之中的第一层至第q层满足下面的式1和2中的至少一个,所述第一层与所述第二电极接触,
[式1]
[式2]
在式1和2中,m为0和自然数,n1,z至nq,z是在所述第一层至所述第q层中的每个的厚度方向上的折射率,d1至dq是所述第一层至所述第q层的各厚度,θair为20°至40°,式1中的λ为610nm或更大且645nm或更小,式2中的λ为515nm或更大且545nm或更小,
在式1和2中,Ф1,CE为下面的式3,
[式3]
在式3中,r1,CE被定义为所述第一层关于所述发光元件的反射系数,如果Im(r1,CE)≥0,那么0≤Ф1,CE≤π,如果Im(r1,CE)<0,那么π<Ф1,CE<2π,并且
在式1和2中,如果所述第q层的所述折射率大于第q+1层的所述折射率,那么Фq,q+1是π,如果所述第q层的所述折射率小于所述第q+1层的所述的折射率,那么Фq,q+1是0。
2.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,所述发光元件包括:第一发光元件,用于产生具有在440nm至460nm的范围内的峰值的蓝光;第二发光元件,用于产生具有在515nm至545nm的范围内的峰值的绿光;以及第三发光元件,用于产生具有在610nm至645nm的范围内的峰值的红光。
3.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,所述堆叠结构中的所述第一层至所述第q层满足下面的式4,
[式4]
n1,zd1+n2,zd2…nq,zdq≤4000nm。
4.根据权利要求3所述的发光显示面板,其中,在式4中,q是3至5。
5.根据权利要求1所述的发光显示面板,其中,所述堆叠结构包括顺序地堆叠的第一有机层、第一无机层、第二无机层、第二有机层和第三无机层。
6.根据权利要求5所述的发光显示面板,其中,所述第q层是所述第二无机层。
7.根据权利要求6所述的发光显示面板,其中,所述第一有机层包括与所述发光元件的有机材料相同的有机材料,
其中,所述第一有机层和所述第一无机层的所述厚度是300nm或更小。
8.根据权利要求7所述的发光显示面板,其中,所述第一无机层包括氟化锂。
9.根据权利要求6所述的发光显示面板,其中,所述第二无机层和所述第三无机层中的每个包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种。
10.根据权利要求6所述的发光显示面板,其中,所述第二无机层的折射率是1.5至1.9,所述第二无机层的厚度是800nm至2000nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的