[发明专利]嵌入式锗硅结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811557700.5 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109638068A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 颜强;黄秋铭;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/161;H01L29/167;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于半导体器件源漏极的嵌入式锗硅结构，包括：半导体基体上的栅极，栅极上的掩模层，两栅极之间的半导体基体上形成有沟槽，沟槽内壁形成有第一种子层，沟槽内的第一种子层和半导体基体上形成有第二种子层，第二种子层上形成有主体层，主体层形成有盖帽层。本发明能提高器件关断电流Iboff，提升器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 种子层 半导体基体 嵌入式 主体层 锗硅 半导体器件 沟槽内壁 关断电流 提升器件 盖帽层 掩模层 源漏极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种嵌入式锗硅结构，用于半导体器件源漏极，包括：半导体基体上的栅极，栅极上的掩模层，其特征在于：两栅极之间的半导体基体上形成有沟槽，沟槽内壁形成有第一种子层，沟槽内的第一种子层和半导体基体上形成有第二种子层，第二种子层上形成有主体层，主体层形成有盖帽层。
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