[发明专利]嵌入式锗硅结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201811557700.5 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109638068A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 颜强;黄秋铭;谭俊 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/06;H01L29/161;H01L29/167;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 种子层 半导体基体 嵌入式 主体层 锗硅 半导体器件 沟槽内壁 关断电流 提升器件 盖帽层 掩模层 源漏极 制造 | ||
1.一种嵌入式锗硅结构，用于半导体器件源漏极，包括：半导体基体上的栅极，栅极上的掩模层，其特征在于：两栅极之间的半导体基体上形成有沟槽，沟槽内壁形成有第一种子层，沟槽内的第一种子层和半导体基体上形成有第二种子层，第二种子层上形成有主体层，主体层形成有盖帽层。
2.如权利要求1所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽是具有水平开口和水平底壁的纺锤形。
3.如权利要求1所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽两侧壁向半导体基体形成凸部，所述沟槽底部为水平底壁。
4.如权利要求1所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽是去除竖直对角线上两个角的菱形。
5.如权利要求4所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽竖直对角线上两个角去除的面积不相等。
6.如权利要求5所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述沟槽竖直方向顶角被去除的面积大于底角被去除的面积。
7.如权利要求5所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第一种子层形成在沟槽水平方向两个对角内壁和沟槽底壁上。
8.如权利要求7所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第二种子层形成在两个对角内壁和沟槽底壁上的第一种子层上，以及对角内壁和沟槽底壁之间的半导体基体上。
9.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第一种子层是不掺杂材料。
10.如权利要求9所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第一种子层是锗硅(SiGe)。
11.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第二种子层是掺杂材料。
12.如权利要求11所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述第二种子层是硼原位掺杂的锗硅(SiGeB)。
13.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述主体层是硼原位掺杂的锗硅(SiGeB)。
14.如权利要求1-8任意一项所述的嵌入式锗硅结构，其特征在于：所述盖帽层是硅(Si)。
15.一种嵌入式锗硅结构制造方法，用于锗硅源漏极，包括以下步骤：
1)在半导体基体上制造栅极，在栅极上制造掩模层；
2)将两栅极之间的掩模层去除，形成刻蚀窗口；
3)刻蚀形成沟槽；
4)沟槽内制造第一种子层；
5)刻蚀去除部分第一种子层，在沟槽内露出部分半导体基体；
6)制造第二种子层，第二种子层位于第一种子层和沟槽内露出的半导体基体上；
7)制造主体层；
8)制造盖帽层。
16.如权利要求15所述的嵌入式锗硅结构制造方法，其特征在于：所述沟槽是具有水平开口和水平底壁的纺锤形。
17.如权利要求16所述的嵌入式锗硅结构制造方法，其特征在于：所述沟槽两侧壁向半导体基体形成凸部，所述沟槽底部为水平底壁。
18.如权利要求17所述的嵌入式锗硅结构制造方法，其特征在于：所述沟槽是去除竖直对角线上两个角的菱形。
19.如权利要求18所述的嵌入式锗硅结构制造方法，其特征在于：所述沟槽竖直对角线上两个角去除的面积不相等。
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