[发明专利]分离栅flash器件的工艺方法

摘要

本发明公开了一种分离栅flash器件的工艺方法，包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上依次形成选择栅极、浮栅、擦除栅极、栅极氧化层，以及在选择栅极的两侧形成侧墙；步骤二，以所述选择栅极的两侧侧墙为遮挡，对整个器件表面进行离子注入，形成所述flash器件的源区；步骤三，淀积多晶硅并刻蚀，形成所述flash器件的控制栅极；去除所述选择栅极的两侧的侧墙，进行整体的N型离子注入，形成所述flash器件的漏区。本发明通过刻蚀来控制选择栅极的侧墙的厚度，对漏区进行可调控的遮挡，实现对源区的无掩膜版的离子注入。

主权项

1.一种分离栅flash器件的工艺方法，通过控制选择栅的侧墙的厚度，对漏区进行可调控的遮挡，实现对源区的离子注入，其特征在于，所述工艺方法包含：步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上依次形成选择栅极、浮栅、擦除栅极、栅极氧化层，以及在选择栅的两侧形成侧墙；步骤二，以所述选择栅的两侧侧墙为遮挡，对整个器件表面进行离子注入，形成所述flash器件的源区；步骤三，淀积多晶硅并刻蚀，形成所述flash器件的控制栅；去除所述选择栅两侧的侧墙，进行整体的N型离子注入，形成所述flash器件的漏区。