[发明专利]分离栅flash器件的工艺方法

权利要求书

1.一种分离栅flash器件的工艺方法，通过控制选择栅极的侧墙的厚度，对漏区进行可调控的遮挡，实现对源区的离子注入，其特征在于，所述工艺方法包含：

步骤一，提供一半导体衬底，在所述的半导体衬底上依次形成选择栅极、浮栅、擦除栅极、栅极氧化层，以及在选择栅极的两侧形成侧墙；其中，在完成选择栅极的刻蚀以后，残留大量的氮化硅层，将残留的氮化硅层进行刻蚀，在选择栅极的两侧形成侧墙；所述的选择栅极的两侧的侧墙，通过调节湿法刻蚀的刻蚀量及刻蚀时间，完全去除源区上部的氮化硅，使源区露出，漏区仍然存在氮化硅层，且选择栅极的两侧的氮化硅厚度不少于50nm，以形成选择栅极两侧的侧墙；

步骤二，以所述选择栅极的两侧侧墙为遮挡，对整个器件表面进行离子注入，形成所述flash器件的源区；

步骤三，淀积多晶硅并刻蚀，形成所述flash器件的控制栅极；去除所述选择栅极两侧的侧墙，进行整体的N型离子注入，形成所述flash器件的漏区。

2.如权利要求1所述的分离栅flash器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤一中，半导体衬底为P型硅衬底。

3.如权利要求1所述的分离栅flash器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤一中，还包括在选择栅极、浮栅、擦除栅极之间形成氧化硅介质层的工艺步骤。

4.如权利要求1所述的分离栅flash器件的工艺方法，其特征在于：所述flash器件的漏区完全在所述选择栅极的侧墙的覆盖范围以内。

5.如权利要求4所述的分离栅flash器件的工艺方法，其特征在于：所述的选择栅极的侧墙的厚度为不少于50nm，所述flash器件的漏区的横向长度不大于15nm。

6.如权利要求1所述的分离栅flash器件的工艺方法，其特征在于：所述步骤二中，所述选择栅极两侧的侧墙作为漏区的遮挡层，在整个器件表面进行重掺杂的N型离子注入，形成所述flash器件的源区，漏区由于侧墙的遮挡不受影响。

7.如权利要求1所述的分离栅flash器件的工艺方法，其特征在于：所述的选择栅极的两侧的氮化硅侧墙，通过湿法刻蚀控制侧墙氮化硅的厚度，实现对漏区进行可调控的遮挡，实现对源区的离子注入，在不影响器件性能的前提下，无需使用源区注入的掩膜版。

8.如权利要求1所述的分离栅flash器件的工艺方法，其特征在于：所述的工艺方法，还包括在半导体衬底中形成阱区、隔离的工艺。