[发明专利]全方位晶圆缺陷的获取方法在审
| 申请号： | 201811553457.X | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN109585327A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 茆青;韩超;龙吟;陈宏璘;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N23/2251 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种全方位晶圆缺陷的获取方法，是利用扫描电子显微镜SEM，针对晶圆的缺陷分析，所述的扫描电子显微镜SEM，其腔室内部安装有多个电子接收机，均匀分布在晶圆四周，以此来拍摄360度全景的晶圆缺陷照片。所述的多个电子接收机，能同时全部开启以拍摄晶圆的全景照片以分析缺陷，还能根据要求，通过开启或关闭某一角度的某一台或多台电子接收机来获取晶圆特定位置或角度的缺陷照片。可以有效的从晶圆缺陷照片判断缺陷的来源，显著提高工程师对缺陷来源判断的准确性，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆缺陷 电子接收机 晶圆 扫描电子显微镜 晶圆特定位置 工作效率 腔室内部 全景照片 缺陷分析 缺陷来源 拍摄 全景 工程师 分析 | ||
【主权项】：
1.一种全方位晶圆缺陷的获取方法，是利用扫描电子显微镜SEM，针对晶圆的缺陷分析，其特征在于：所述的扫描电子显微镜SEM，其腔室内部安装有多个电子接收机，均匀分布在晶圆四周，以此来拍摄360度全景的晶圆缺陷照片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
