[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201811552244.5 | 申请日： | 2018-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN110021665A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 折田敏幸;山野辺智美;东平真人;土井祐树;神戸敏文;辻本雅夫;鍜治昂男;近藤清文 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 日本神奈川县横滨市港北区新*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法。本发明在具有超结结构的半导体装置中，降低产生包围沟槽的壁的倒塌的风险，并且抑制伴随制造偏差的耐压变动。半导体装置包含第1导电型的漂移层、及埋入漂移层中的多个埋入部。多个埋入部分别具有与第1导电型不同的第2导电型，将第1方向作为长边方向，沿着与第1方向交叉的第2方向相互隔开间隙来配置。埋入部的各者的在第2方向上的宽度沿着第1方向连续地变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体装置 导电型 埋入部 漂移层 超结结构 方向交叉 制造偏差 长边 隔开 埋入 耐压 制造 倒塌 包围 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：漂移层，具有第1导电型；以及多个埋入部，埋入所述漂移层中，具有与所述第1导电型不同的第2导电型，将第1方向作为长边方向，沿着与所述第1方向交叉的第2方向相互隔开间隙来配置；且所述埋入部的各者的在所述第2方向上的宽度沿着所述第1方向连续地变化。
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