[发明专利]半导体存储装置在审
| 申请号： | 201811532004.9 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN110838319A | 公开（公告）日： | 2020-02-25 |
| 发明（设计）人： | 下城义朗;佐贯朋也 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体存储装置具有：第1配线层，包含沿第1方向延伸的第1电极、及沿第2方向延伸且与第1电极的一端相接的第2电极；第2配线层，包含与第1电极在第2方向上相邻地配置且沿第1方向延伸的第3电极、及沿第2方向延伸且与第3电极的一端相接的第4电极；第1半导体层，设置在第1电极与第3电极之间，且沿与半导体衬底垂直的第3方向延伸；第1存储部，设置在第1半导体层与第1电极之间；第2存储部，设置在第1半导体层与第3电极之间；及第1位线，设置在第1半导体层的上方，沿第1方向延伸，且与第1半导体层电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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