[发明专利]一种半导体器件结构的制造方法以及半导体器件结构有效
| 申请号： | 201811531119.6 | 申请日： | 2018-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109671677B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 康晓旭 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/06;H01L27/092 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;尹一凡 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示一种半导体器件结构的制造方法以及半导体器件结构。所述半导体器件结构的制造方法至少包括：在一基底的一侧形成第一晶体管，所述第一晶体管至少包括第一鳍部，所述第一鳍部形成于所述基底的一侧表面，且向远离所述基底的方向延伸；在所述第一晶体管远离所述基底的一侧形成第一隔离介质，所述第一隔离介质覆盖所述第一晶体管；对所述第一隔离介质图形化、形成开口部，所述开口部的位置与所述第一鳍部的位置相对应，且将第一鳍部显露于所述开口部；在所述第一隔离介质远离所述第一晶体管的一侧形成第二晶体管，所述第二晶体管至少包括第二鳍部，所述第二鳍部设置于所述开口部内，且由所述开口部向远离所述第一鳍部的方向延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 结构 制造 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构的制造方法，其特征在于，至少包括如下步骤：在一基底的一侧形成第一晶体管，所述第一晶体管至少包括第一鳍部，所述第一鳍部形成于所述基底的一侧表面，且向远离所述基底的方向延伸；在所述第一晶体管远离所述基底的一侧形成第一隔离介质，所述第一隔离介质覆盖所述第一晶体管；对所述第一隔离介质图形化、形成开口部，所述开口部的位置与所述第一鳍部的位置相对应，且将第一鳍部显露于所述开口部；在所述第一隔离介质远离所述第一晶体管的一侧形成第二晶体管，所述第二晶体管至少包括第二鳍部，所述第二鳍部设置于所述开口部内，且由所述开口部向远离所述第一鳍部的方向延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
