[发明专利]一种半导体发光元件在审
| 申请号： | 201811527596.5 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN111326616A | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 李建华;李全杰;刘向英 | 申请（专利权）人： | 西安智盛锐芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 毋雪 |
| 地址： | 710075 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体发光元件，包括衬底层；缓冲层，位于衬底层上；N型半导体层，位于缓冲层上；N型掺杂叠层，位于N型掺杂层上，N型掺杂叠层包括若干第一N型掺杂层和若干第二N型掺杂层；量子阱发光层，位于N型掺杂叠层上；电子阻挡层；辅助功能层，包括的第一P型掺杂层、第二P型掺杂层和第三P型掺杂层；P型半导体层。本发明的发光二极管设置有N型掺杂叠层，可以降低电子的迁移速率，通过调整电子迁移至量子阱发光层的速率，可以提高量子阱发光层中空穴与电子发生辐射复合的概率，从而提高发光二极管的发光效率。并且通过设置辅助功能层，能够改善空穴迁移至量子阱发光层的空穴浓度，从改善发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
【主权项】：
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