[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法在审
| 申请号： | 201811526866.0 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109659370A | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 余威 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，通过将源极、漏极的一部分与第一绝缘层设置在同一层，可以阻挡紫外光经源极、漏极以及第一绝缘层的反射进入导电沟道，进而可以避免导电沟道在紫外光的照射下造成金属氧化物薄膜晶体管的阈值电压偏移，提高阈值电压稳定性以及显示质量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属氧化物薄膜晶体管 绝缘层 紫外光 导电沟道 漏极 源极 阈值电压偏移 阈值电压 同一层 反射 制作 照射 阻挡 申请 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；栅极，所述栅极设置在所述基板上；第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述栅极以及所述基板上，所述第一绝缘层上设置有贯穿至所述基板的第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔位于所述栅极的一侧，所述第二通孔位于所述栅极的另一侧；导电沟道，所述导电沟道设置在所述第一绝缘层上并与所述栅极相对；源极以及漏极，所述源极设置在所述导电沟道的一侧并延伸至所述第一通孔，所述漏极设置在所述导电沟道的另一侧并延伸至所述第二通孔。
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