[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法

说明书

本申请实施例的金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，通过将源极、漏极的一部分与第一绝缘层设置在同一层，可以阻挡紫外光经源极、漏极以及第一绝缘层的反射进入导电沟道，进而可以避免导电沟道在紫外光的照射下造成金属氧化物薄膜晶体管的阈值电压偏移，提高阈值电压稳定性以及显示质量。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

金属氧化物薄膜晶体管由于具有高迁移率且适用于大面积生产等优势，成为目前显示技术领域内的研究热点。

但金属氧化物薄膜晶体管的导电鼓捣对于工艺和环境非常敏感，常常需要增加一道光罩采用遮光结构对导电沟道层进行保护，不利于制程成本的降低。同时，由于源极、漏极与遮光结构之间的堆叠，使得导电沟道尺寸较大，寄生电容也较大。另外，导电沟道在紫外光的照射下，容易使得金属氧化物薄膜晶体管的阈值电压偏移，造成显示器显示效果不稳定。

因此，现有技术存在缺陷，急需改进。

发明内容

本申请实施例的目的是提供一种金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法，能解决导电沟道在紫外光的照射下，容易使得金属氧化物薄膜晶体管的阈值电压偏移，造成显示器显示效果不稳定的技术问题。

本申请实施例提供一种金属氧化物薄膜晶体管，包括：

基板；

栅极，所述栅极设置在所述基板上；

第一绝缘层，所述第一绝缘层设置在所述栅极以及所述基板上，所述第一绝缘层上设置有贯穿至所述基板的第一通孔以及第二通孔，所述第一通孔位于所述栅极的一侧，所述第二通孔位于所述栅极的另一侧；

导电沟道，所述导电沟道设置在所述第一绝缘层上并与所述栅极相对；

源极以及漏极，所述源极设置在所述导电沟道的一侧并延伸至所述第一通孔，所述漏极设置在所述导电沟道的另一侧并延伸至所述第二通孔。

在本申请所述的金属氧化物薄膜晶体管中，所述源极包括第一源极部、第二源极部以及第三源极部，所述第一源极部设置在所述导电沟道上，所述第二源极部设置在所述第一绝缘层上，所述第三源极部覆盖所述第一通孔；

所述漏极包括第一漏极部、第二漏极部以及第三漏极部，所述第一漏极部设置在所述导电沟道上，所述第二漏极部设置在所述第一绝缘层上，所述第三漏极部覆盖所述第二通孔。

在本申请所述的金属氧化物薄膜晶体管中，所述第一源极部与所述第一漏极部相互绝缘。

在本申请所述的金属氧化物薄膜晶体管中，所述第一绝缘层包括第一绝缘部、第二绝缘部以及第三绝缘部；

所述第二绝缘部设置在所述第一通孔与所述第二通孔之间，所述第一绝缘部设置在所述第一通孔远离所述栅极的一侧，所述第三绝缘部设置在所述第二通孔远离所述栅极的一侧。

在本申请所述的金属氧化物薄膜晶体管中，所述第二绝缘部包括设置在所述栅极上的第一子绝缘部、设置在所述栅极一侧的第二子绝缘部以及设置在所述栅极另一侧的第三子绝缘部；所述第一子绝缘部、所述第二子绝缘部以及所述第三子绝缘部一体成型。

在本申请所述的金属氧化物薄膜晶体管中，所述第一通孔与所述栅极之间的距离小于1um，所述第二通孔与所述栅极之间的距离小于1um。

在本申请所述的金属氧化物薄膜晶体管中，所述金属氧化物薄膜晶体管还包括第二绝缘层以及遮光金属；

所述第二绝缘层设置在所述源极、所述漏极、所述导电沟道以及第一绝缘层上，所述遮光金属层设置在所述第二绝缘层上。

在本申请所述的金属氧化物薄膜晶体管中，所述遮光金属与所述导电沟道相对设置。