[发明专利]一种冷原子团快速陷俘和高频相向抛射的控制方法有效

专利信息
申请号: 201811520320.4 申请日: 2018-12-12
公开(公告)号: CN109708674B 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 陈福胜;毛海岑;程俊;黄晨;王斌;刘康琦;周嘉鹏 申请(专利权)人: 中国船舶重工集团公司第七一七研究所
主分类号: G01D5/26 分类号: G01D5/26
代理公司: 北京律谱知识产权代理事务所(普通合伙) 11457 代理人: 黄云铎
地址: 430223 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 本申请公开了一种冷原子团快速陷俘和高频相向抛射的控制方法,该控制方法包括:步骤01,在三维磁光阱中的三组分光器上设置三组光阑,三组光阑用于形成遮光区域;步骤02,由第一三维磁光阱,沿运动轨迹向第二三维磁光阱抛射冷原子团,其中,运动轨迹通过两侧三维磁光阱的遮光区域;步骤03,当判定冷原子团进入第一三维磁光阱的遮光区域时,开启第一三维磁光阱中的三维冷却光和三维回泵光以俘获下一冷原子团。通过本申请中的技术方案,有利于减小等待冷原子团飞出陷俘区域的时间,提高了冷原子团的抛射频率和冷原子干涉仪的测量精度,实现了冷原子干涉仪测量过程中的无死区测量。
搜索关键词: 一种 原子团 快速 高频 相向 抛射 控制 方法
【主权项】:
1.一种冷原子团快速陷俘和高频相向抛射的控制方法,适用于冷原子干涉仪,所述冷原子干涉仪具有两组冷原子团抛射机构,两组所述冷原子团抛射机构彼此相对进行冷原子团抛射,每组所述冷原子抛射机构包括:原子发生器、二维磁光阱以及三维磁光阱,二者彼此相对设置,所述控制方法包括:利用所述原子发生器生成原子束,并将所述原子束发送至所述二维磁光阱,利用所述二维磁光阱对所述原子束中的原子进行冷却,其特征在于,所述控制方法还包括:步骤01,在两个三维磁光阱中的三组分光器上设置三组光阑,所述三组光阑用于形成遮光区域,第一组分光器与所述原子束路径成预定夹角,其两个分光器分别对向所述原子束路径中的陷俘区域,第一组光阑设置于所述第一组分光器的边缘、所述原子束路径的下游,所述第一组光阑对所述第一组分光器所分出激光进行遮挡,第二组分光器与所述第一组分光器正交设置,第二组光阑设置于所述第二组分光器的边缘、所述原子束路径的下游,所述第二组光阑对所述第二组分光器所分出激光进行遮挡,第三组分光器与所述第二组分光器和所述第三组分光器正交设置,第三组光阑设置于所述第三组分光器的边缘、所述原子束路径的下游,所述第三组光阑对所述第三组分光器所分出激光进行遮挡,其中,三组所述分光器分出的激光以彼此正交的形式进行照射,将三组所述激光的相交区域记作所述陷俘区域;步骤02,由第一三维磁光阱,沿运动轨迹向第二三维磁光阱抛射冷原子团,其中,所述运动轨迹通过两侧所述三维磁光阱的所述遮光区域;步骤03,当判定所述冷原子团进入所述第一三维磁光阱的所述遮光区域时,开启所述第一三维磁光阱中的三维冷却光和三维回泵光以俘获下一冷原子团。
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