[发明专利]一种冷原子团快速陷俘和高频相向抛射的控制方法

权利要求书

1.一种冷原子团快速陷俘和高频相向抛射的控制方法，适用于冷原子干涉仪，所述冷原子干涉仪具有两组冷原子团抛射机构，两组所述冷原子团抛射机构彼此相对进行冷原子团抛射，每组所述冷原子抛射机构包括：原子发生器、二维磁光阱以及三维磁光阱，二者彼此相对设置，所述控制方法包括：利用所述原子发生器生成原子束，并将所述原子束发送至所述二维磁光阱，利用所述二维磁光阱对所述原子束中的原子进行冷却，其特征在于，所述控制方法还包括：

步骤01，在两个三维磁光阱中的三组分光器上设置三组光阑，所述三组光阑用于形成遮光区域，

第一组分光器与所述原子束路径成预定夹角，其两个分光器分别对向所述原子束路径中的陷俘区域，第一组光阑设置于所述第一组分光器的边缘、所述原子束路径的下游，所述第一组光阑对所述第一组分光器所分出激光进行遮挡，

第二组分光器与所述第一组分光器正交设置，第二组光阑设置于所述第二组分光器的边缘、所述原子束路径的下游，所述第二组光阑对所述第二组分光器所分出激光进行遮挡，

第三组分光器与所述第二组分光器和所述第一组分光器正交设置，第三组光阑设置于所述第三组分光器的边缘、所述原子束路径的下游，所述第三组光阑对所述第三组分光器所分出激光进行遮挡，

其中，三组所述分光器分出的激光以彼此正交的形式进行照射，将三组所述激光的相交区域记作所述陷俘区域；

步骤02，由第一三维磁光阱，沿运动轨迹向第二三维磁光阱抛射冷原子团，其中，所述运动轨迹通过两侧所述三维磁光阱的所述遮光区域；

步骤03，当判定所述冷原子团进入所述第一三维磁光阱的所述遮光区域时，开启所述第一三维磁光阱中的三维冷却光和三维回泵光以俘获下一冷原子团。

2.如权利要求1所述的冷原子团快速陷俘和高频相向抛射的控制方法，其特征在于，所述步骤02，具体包括：

步骤02a，当判定所述冷原子团中的冷原子数量大于或等于预设数量时，关断所述三维磁光阱中磁场线圈中的电流；

步骤02b，根据所述运动轨迹，调整所述三维磁光阱中所述三维冷却光的光照强度和所述三维回泵光的光照强度；

步骤02c，当判定所述冷原子团能够沿所述运动轨迹运动时，关断所述三维磁光阱的所述三维冷却光和所述三维回泵光。

3.如权利要求1所述的冷原子团快速陷俘和高频相向抛射的控制方法，其特征在于，所述步骤02，具体还包括：

以预设速度由第一三维磁光阱向第二三维磁光阱抛射所述冷原子团，其中，所述冷原子团以所述预设速度被抛射时，在所述第二三维磁光阱的所述三维冷却光和所述三维回泵光关断前，进入所述第二三维磁光阱的所述陷俘区域。