[发明专利]通过含掺杂剂的聚合物膜对基材进行掺杂在审
| 申请号： | 201811510188.9 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN109920843A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | R·A·赛格曼;B·C·波普尔;P·特雷福纳斯三世;A·T·黑什 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会;罗门哈斯电子材料有限公司;陶氏环球技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/167 | 分类号： | H01L29/167;H01L29/207;H01L21/02;H01L21/22;H01L21/225;H01L21/3105;C09D153/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 江磊 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及通过含掺杂剂的聚合物膜对基材进行掺杂。本文所揭示的是用于掺杂基材的方法，该方法包括：在基材上布置组合物的涂层，所述组合物包含共聚物、掺杂剂前体和溶剂；其中，所述共聚物能够使得掺杂剂前体当在溶液中的时候发生相分离和嵌入；以及使得基材在750‑1300℃的温度退火0.1秒至24小时，以使得掺杂剂扩散进入基材中。本文还揭示了包含直径为3‑30纳米的嵌入的掺杂剂域的半导体基材；其中，所述域包含第13族或第15族原子，其中嵌入的球形域位于基材表面的30纳米内。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 掺杂剂 掺杂剂前体 掺杂 聚合物膜 共聚物 嵌入的 退火 半导体基材 掺杂剂扩散 第15族原子 基材表面 相分离 溶剂 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基材，所述半导体基材包括：嵌入的直径为3‑30纳米的掺杂剂域；其中，嵌入的掺杂剂域选自：硼、砷、锑、铝、铟和镓，嵌入的掺杂剂域位于基材表面的30纳米内并且在基材中周期性间隔。
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