[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811506592.9 | 申请日： | 2018-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN111293118B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H10B10/00 | 分类号： | H10B10/00 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在N型晶体管区和P型晶体管区的基底上形成栅介质层；在栅介质层上形成第一功函数层，用于调整P型晶体管的阈值电压；使P型晶体管区中的第一功函数层转变成第二功函数层，第二功函数层比第一功函数层更难被刻蚀，且用于调整P型晶体管的阈值电压；去除N型晶体管区中的第一功函数层；去除N型晶体管区中的第一功函数层后，形成覆盖N型晶体管区的第三功函数层，用于调整N型晶体管的阈值电压。因为第二功函数层比第一功函数层更难被刻蚀，在刻蚀去除N型晶体管区中的第一功函数层时，P型晶体管区中的第二功函数层被误刻蚀的概率降低，有利于提高半导体结构的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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