[发明专利]一种晶体管外延结构的制备方法在审

专利信息
申请号: 201811502839.X 申请日: 2018-12-10
公开(公告)号: CN109786215A 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 程丁;王其龙;龚程成;周飚;胡加辉 申请(专利权)人: 华灿光电(浙江)有限公司
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;C30B25/18
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 徐立
地址: 322000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明公开了一种晶体管外延结构的制备方法,属于半导体器件制造领域。在AlN缓冲层上生长AlGaN层时,向反应腔内通入的Al源的流量逐渐减小,向所述反应腔内通入的Ga源的流量逐渐增加,这种设置使得最终得到的AlGaN层中Al的组分沿其生长方向逐渐减小,AlGaN层中Ga的组分沿其生长方向逐渐增加。因此AlGaN层与AlN缓冲层接触的一面的晶格常数与AlN缓冲层的晶格常数较为接近,而AlGaN层与第一高阻GaN层接触的一面的晶格常数与第一高阻GaN层的晶格常数较为接近,AlGaN层可同时实现与AlN缓冲层及第一高阻GaN层的良好匹配,这种生长方式可使得在AlN缓冲层上生长的AlGaN层以及AlGaN层上生长的第一高阻GaN层的质量较好,最终提高晶体管外延结构的质量。
搜索关键词: 晶格常数 高阻 外延结构 晶体管 生长 生长方向 逐渐减小 逐渐增加 反应腔 制备 半导体器件制造 匹配
【主权项】:
1.一种晶体管外延结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供一单晶Si衬底;在所述单晶Si衬底上生长AlN成核层;在所述AlN成核层上生长AlN缓冲层;在所述AlN缓冲层上生长AlGaN层,其中,在所述AlN缓冲层上生长AlGaN层时,向反应腔内通入Al源与Ga源,向所述反应腔内通入的Al源的流量逐渐减小,向所述反应腔内通入的Ga源的流量逐渐增加;在所述AlGaN层上生长第一高阻GaN层;在所述第一高阻GaN层上生长AlGaN/GaN超晶格结构;在所述AlGaN/GaN超晶格结构上生长第二高阻GaN层。
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