[发明专利]一种晶体管外延结构的制备方法在审
申请号: | 201811502839.X | 申请日: | 2018-12-10 |
公开(公告)号: | CN109786215A | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 程丁;王其龙;龚程成;周飚;胡加辉 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C30B25/18 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶体管外延结构的制备方法,属于半导体器件制造领域。在AlN缓冲层上生长AlGaN层时,向反应腔内通入的Al源的流量逐渐减小,向所述反应腔内通入的Ga源的流量逐渐增加,这种设置使得最终得到的AlGaN层中Al的组分沿其生长方向逐渐减小,AlGaN层中Ga的组分沿其生长方向逐渐增加。因此AlGaN层与AlN缓冲层接触的一面的晶格常数与AlN缓冲层的晶格常数较为接近,而AlGaN层与第一高阻GaN层接触的一面的晶格常数与第一高阻GaN层的晶格常数较为接近,AlGaN层可同时实现与AlN缓冲层及第一高阻GaN层的良好匹配,这种生长方式可使得在AlN缓冲层上生长的AlGaN层以及AlGaN层上生长的第一高阻GaN层的质量较好,最终提高晶体管外延结构的质量。 | ||
搜索关键词: | 晶格常数 高阻 外延结构 晶体管 生长 生长方向 逐渐减小 逐渐增加 反应腔 制备 半导体器件制造 匹配 | ||
【主权项】:
1.一种晶体管外延结构的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:提供一单晶Si衬底;在所述单晶Si衬底上生长AlN成核层;在所述AlN成核层上生长AlN缓冲层;在所述AlN缓冲层上生长AlGaN层,其中,在所述AlN缓冲层上生长AlGaN层时,向反应腔内通入Al源与Ga源,向所述反应腔内通入的Al源的流量逐渐减小,向所述反应腔内通入的Ga源的流量逐渐增加;在所述AlGaN层上生长第一高阻GaN层;在所述第一高阻GaN层上生长AlGaN/GaN超晶格结构;在所述AlGaN/GaN超晶格结构上生长第二高阻GaN层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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