[发明专利]去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法在审
| 申请号： | 201811492884.1 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN109599325A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 穆帅帅;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 富乐德科技发展（天津）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 高正方 |
| 地址： | 301712 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，包括以下步骤：将料板浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1‑5min；将预处理后的料板置入第一处理容器中处理1‑5min，第一处理容器中装有氢氟酸和硝酸的混合溶液，按重量比硝酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：20；将料板置入第二处理容器中处理1‑5min，第二处理容器中装有氢氟酸和盐酸的混合溶液，按重量比盐酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：7；将料板置入第三处理容器中处理1‑5min，第三容器中装有纯水；在60℃下烘干2‑10min。本发明技术简单、易于实施，且处理效率更高。 | ||
| 搜索关键词： | 氢氟酸 处理容器 料板 置入 二氧化硅薄膜 氧化钇涂层 混合溶液 高致密 重量比 硝酸 附着 去除 盐酸 清洗 预处理 预处理容器 处理效率 第三容器 浸入 烘干 预浸 | ||
【主权项】：
1.一种去除附着于高致密氧化钇涂层表面的二氧化硅薄膜的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：A、将料板浸入装有纯水的预处理容器中，预浸1‑5min；B、将预处理后的料板置入第一处理容器中处理1‑5min，第一处理容器中装有氢氟酸和硝酸的混合溶液，其中按重量比硝酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：20；C、将料板置入第二处理容器中处理1‑5min，第二处理容器中装有氢氟酸和盐酸的混合溶液，其中按重量比盐酸与氢氟酸之间比值为1：3‑1：5，氢氟酸与纯水之间的比值为1：7；D、将料板置入第三处理容器中处理1‑5min，第三容器中装有纯水；E、在60℃下烘干2‑10min。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富乐德科技发展（天津）有限公司，未经富乐德科技发展（天津）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811492884.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种氮化铝外延层生长方法
- 下一篇：一种降低氮化镓晶体表面颗粒浓度的处理方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
