[发明专利]多光谱超导纳米线单光子探测器有效
申请号: | 201811486995.1 | 申请日: | 2018-12-06 |
公开(公告)号: | CN109659386B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 李浩;尤立星;王河清;王镇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/0232;H01L31/0352 |
代理公司: | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人: | 黄志达 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种多光谱超导纳米线单光子探测器,包括:衬底;第一光学薄膜叠层结构,位于衬底的上表面;第二光学薄膜叠层结构,位于第一光学薄膜叠层结构的上表面;第二光学薄膜叠层结构的中心波长与第一光学薄膜叠层结构的中心波长不同;超导纳米线,位于第二光学薄膜叠层结构的上表面。本发明的第二光学薄膜叠层结构即作为反射镜用于在其中心波长处达到高效吸收,又对第一光学薄膜叠层结构反射波段的光起到相移的作用,导致其吸收波长发生偏移、吸收峰数量变多,可以实现多个波段的高效吸收,即可以得到多个共振吸收波长,从而可以满足用户对不同波段单光子探测器的应用需求,以及多波段成像或多波段探测等应用的需求。 | ||
搜索关键词: | 光谱 导纳 米线 光子 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种多光谱超导纳米线单光子探测器,其特征在于,所述多光谱超导纳米线单光子探测器包括:衬底;第一光学薄膜叠层结构,位于所述衬底的上表面;第二光学薄膜叠层结构,位于所述第一光学薄膜叠层结构的上表面;所述第二光学薄膜叠层结构的中心波长与所述第一光学薄膜叠层结构的中心波长不同;超导纳米线,位于所述第二光学薄膜叠层结构的上表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的