[发明专利]曝光辅助图形添加方法有效
| 申请号： | 201811477006.2 | 申请日： | 2018-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109407460B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 康萌;张月雨;于世瑞 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36;G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种曝光辅助图形添加方法，获取原始图层的完整设计版图；根据已经获得的原始版图图形，对当层版图进行OPC修正处理，再将处理后的版图图形间距小于要求一的区域选出来；在上述选定的区域内，添加曝光辅助图形；该曝光辅助图形的尺寸满足要求二，不会在硅片上曝出图形；在添加曝光辅助图形时，若光刻胶边界存在内凹，该内凹宽度小于要求三，则先将对应的原始版图图形外凸部分进行移除处理，再对移除外凸部分后所产生的新的边界添加曝光辅助图形。本发明能够有效地增大离子注入层工艺窗口，减少图形缺陷，提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 辅助 图形 添加 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光辅助图形添加方法，其特征在于：获取原始图层的完整设计版图；根据已经获得的原始版图图形，对当层版图进行OPC修正处理，再将处理后的版图图形间距小于要求一的区域选出来；在上述选定的区域内，添加曝光辅助图形；该曝光辅助图形的尺寸满足要求二，不会在硅片上曝出图形；在添加曝光辅助图形时，若光刻胶边界存在内凹，内凹宽度小于要求三，则先将对应的原始版图图形外凸部分进行移除处理，再对移除外凸部分后所产生的新的边界添加曝光辅助图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
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