[发明专利]半导体装置及其形成方法有效
| 申请号： | 201811472657.2 | 申请日： | 2018-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN111274844B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 李新辉;曾汉良;余俊良;林光明;陈茵;陈子端;林学荣;吕文志;吕定蓉 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | G06V40/13 | 分类号： | G06V40/13;G02B27/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实施例关于一种半导体装置及其形成方法。上述半导体装置包括基板。上述基板包括多个像素。上述半导体装置亦包括设置于上述基板上的光准直层。上述光准直层包括设置于上述基板上的透明连接特征以及设置于上述透明连接特征上的多个透明柱体。上述多个透明柱体覆盖上述多个像素且上述透明连接特征连接上述多个透明柱体。上述多个透明柱体以及上述透明连接特征由包括透明材料的第一材料所形成。上述光准直层亦包括设置于上述透明连接特征上的多个第一遮光特征。上述多个透明柱体之一的顶表面与上述多个第一遮光特征之一的顶表面齐平。上述半导体装置可以增进光准直层的准直效能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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