[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201811462559.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN109980012A | 公开（公告）日： | 2019-07-05 |
| 发明（设计）人： | 金真范;金文铉;金亨燮;朴台镇;李宽钦;卢昶佑;玛丽亚·托莱达诺卢克;朴洪培;李始炯;黄成万 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;成均馆大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：衬底；衬底上的栅电极；栅电极的侧壁上的栅极间隔物；穿透栅电极和栅极间隔物的有源图案；以及外延图案，与有源图案和栅极间隔物接触。栅电极在第一方向上延伸。栅极间隔物包括半导体材料层。有源图案在与第一方向交叉的第二方向上延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极间隔物 栅电极 源图案 半导体器件 衬底 半导体材料层 方向交叉 延伸 侧壁 穿透 图案 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：衬底；所述衬底上的栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸；所述栅电极的侧壁上的栅极间隔物，所述栅极间隔物包括半导体材料层；穿透所述栅电极和所述栅极间隔物的有源图案，所述有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及外延图案，与所述有源图案和所述栅极间隔物接触。
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