[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上的栅电极，所述栅电极在第一方向上延伸；

所述栅电极的侧壁上的栅极间隔物，所述栅极间隔物包括半导体材料层；

穿透所述栅电极和所述栅极间隔物的有源图案，所述有源图案在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及

外延图案，与所述有源图案和所述栅极间隔物接触。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源图案以及所述栅极间隔物的半导体材料层包括硅。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述栅极间隔物的半导体材料层中的硅浓度高于所述有源图案中的硅浓度。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述有源图案以及所述栅极间隔物的半导体材料层包括锗。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述栅极间隔物的半导体材料层中的锗浓度高于所述有源图案中的锗浓度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延图案接触所述栅极间隔物的半导体材料层，并且所述栅极间隔物的半导体材料层不含氧化物或氮化物。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延图案包括p型杂质和硅锗。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述外延图案包括第一外延图案以及所述第一外延图案上的第二外延图案，所述第一外延图案接触所述有源图案和所述栅极间隔物，并且所述第二外延图案中的锗浓度高于所述第一外延图案中的锗浓度。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延图案包括第一杂质，并且所述栅极间隔物的半导体材料层包括与所述第一杂质相同导电类型的第二杂质。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述外延图案包括第一杂质，并且所述栅极间隔物的半导体材料层包括与所述第一杂质不同导电类型的第二杂质。

11.一种半导体器件，包括：

衬底；

所述衬底上的第一有源图案；

围绕所述第一有源图案的栅电极；

所述栅电极的侧壁上的内间隔物，其中，所述内间隔物位于所述第一有源图案与所述衬底之间；以及

外延图案，与所述第一有源图案和所述内间隔物接触，

其中，所述内间隔物包括半导体材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述内间隔物与所述栅电极相邻的侧壁具有凸弯曲形状。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

所述栅电极的侧壁上的外间隔物，

其中，所述外间隔物设置在所述第一有源图案和所述内间隔物上。

14.根据权利要求13所述的半导体器件，其中，所述外间隔物包括绝缘材料，并且所述内间隔物不含氧化物或氮化物。

15.根据权利要求11所述的半导体器件，还包括：

所述第一有源图案上的第二有源图案，

其中，所述栅电极还围绕所述第二有源图案，所述内间隔物还设置在所述第一有源图案与所述第二有源图案之间，并且所述第一有源图案和所述第二有源图案延伸穿过所述内间隔物以与所述外延图案接触。