[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，属于半导体技术领域。高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，沟道层和势垒层依次层叠在衬底上，源极、漏极和栅极分别设置在势垒层上，源极和漏极均与势垒层形成欧姆接触，栅极与势垒层形成肖特基接触；沟道层包括第一子层和插入在第一子层中的第二子层，第一子层为未掺杂的GaN层，第二子层为Bi₂O₂Se薄膜。本发明通过在未掺杂的GaN层中插入Bi₂O₂Se薄膜形成沟道层，可以有效改善势垒层中三元化合物掺杂浓度不一致而造成的载流子分布不均匀的问题，提升高电子迁移率晶体管的均匀性和一致性。

主权项

1.一种高电子迁移率晶体管，所述高电子迁移率晶体管包括衬底、沟道层、势垒层、源极、漏极和栅极，所述沟道层和所述势垒层依次层叠在所述衬底上，所述源极、所述漏极和所述栅极分别设置在所述势垒层上，所述源极和所述漏极均与所述势垒层形成欧姆接触，所述栅极与所述势垒层形成肖特基接触；其特征在于，所述沟道层包括第一子层和插入在所述第一子层中的第二子层，所述第一子层为未掺杂的GaN层，所述第二子层为Bi₂O₂Se薄膜。