[发明专利]晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201811450890.0 | 申请日： | 2018-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN110021530B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 林宪信 | 申请（专利权）人： | 联发科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成晶体管的方法，包括：提供基板以及形成在所述基板上的多个栅极结构；在所述多个栅极结构之间形成牺牲层；在所述牺牲层的一部分上形成遮罩层，所述牺牲层包括由所述遮罩层遮住的第一部分和未由所述遮罩层遮住的第二部分；去除所述牺牲层的第二部分形成第一开口；在所述第一开口中形成所述介电层；去除所述遮罩层；去除所述牺牲层的第一部分形成第二开口；以及在所述第二开口中形成第一接触插塞。这样可以更加准确的控制接触的尺寸，并且可以使接触与栅极保持分隔开，使得接触仅形成在栅极结构之间的位置处，防止接触形成在栅极结构之上。因此，可以减小栅极和接触之间的电容，最小化电容变化，保持运行稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成晶体管的方法，其特征在于，包括：提供基板以及形成在所述基板上的多个栅极结构；在所述多个栅极结构之间形成牺牲层；在所述牺牲层的一部分上形成遮罩层，所述牺牲层包括由所述遮罩层遮住的第一部分和未由所述遮罩层遮住的第二部分；去除所述牺牲层的第二部分形成第一开口；在所述第一开口中形成所述介电层；去除所述遮罩层；去除所述牺牲层的第一部分形成第二开口；以及在所述第二开口中形成第一接触插塞。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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