[发明专利]晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种形成晶体管的方法，其特征在于，包括：

提供基板以及形成在所述基板上的多个栅极结构；

在所述多个栅极结构之间形成牺牲层；

在所述牺牲层的一部分上形成遮罩层，所述牺牲层包括由所述遮罩层遮住的第一部分和未由所述遮罩层遮住的第二部分；

去除所述牺牲层的第二部分形成第一开口；

在所述第一开口中形成介电层；

去除所述遮罩层；

去除所述牺牲层的第一部分形成第二开口；以及

在所述第二开口中形成第一接触插塞；

所述方法还包括：在去除从所述牺牲层的第二部分之后去除部分所述栅极结构，使得部分第一开口形成为扩展的第一开口，从而在俯视图中形成期望图案的栅极结构。

2.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，形成所述第二开口包括：相对于所述介电层选择性地蚀刻所述牺牲层的第一部分。

3.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，还包括：

在形成所述遮罩层之前，在所述栅极结构和所述牺牲层上执行平坦化制程。

4.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述栅极结构的高度在所述栅极结构的间距的100％至150％的范围内。

5.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述栅极结构包括间隔物，所述间隔物具有平坦的顶表面。

6.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述第一接触插塞的侧壁与所述第一接触插塞的顶面之间的角度大于70°。

7.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述第一接触插塞的最大宽度小于或等于所述栅极结构的间距的33％。

8.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述牺牲层包括多晶硅，SiGe，掺杂多晶硅，掺杂SiGe或上述这些任意两种或两种以上的组合。

9.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述栅极结构包括虚设栅极，所述方法还包括：

在形成所述介电层之后用金属栅极代替所述虚设栅极，并在所述金属栅极上形成栅极盖层。

10.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，形成所述遮罩层包括：

使用具有第一光遮罩的第一图案化制程形成所述遮罩层的第一部分；以及

使用具有第二光遮罩的第二图案化制程形成所述遮罩层的第二部分。

11.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，所述介电层包括氧化硅，氮化硅，氧氮化硅，四乙氧基硅烷，磷硅酸盐玻璃，硼磷硅酸盐玻璃，氟化硅胶玻璃，碳掺杂的氧化硅，无定形氟化碳，聚对二甲苯，双苯并环丁烯，聚酰亚胺或上述这些任意两种或两种以上的组合。

12.如权利要求1所述的形成晶体管的方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极结构上形成第二接触插塞。