[发明专利]晶体管及其形成方法

说明书

本发明公开一种形成晶体管的方法，包括：提供基板以及形成在所述基板上的多个栅极结构；在所述多个栅极结构之间形成牺牲层；在所述牺牲层的一部分上形成遮罩层，所述牺牲层包括由所述遮罩层遮住的第一部分和未由所述遮罩层遮住的第二部分；去除所述牺牲层的第二部分形成第一开口；在所述第一开口中形成所述介电层；去除所述遮罩层；去除所述牺牲层的第一部分形成第二开口；以及在所述第二开口中形成第一接触插塞。这样可以更加准确的控制接触的尺寸，并且可以使接触与栅极保持分隔开，使得接触仅形成在栅极结构之间的位置处，防止接触形成在栅极结构之上。因此，可以减小栅极和接触之间的电容，最小化电容变化，保持运行稳定。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶体管及其形成方法。

背景技术

半导体集成电路工业经历了快速增长。集成电路设计的发展和材料技术的进步已经产生了几代集成电路。每一代都有比前一代更小更复杂的电路。在集成电路开发过程中，几何尺寸逐渐缩小。

随着集成电路尺寸缩小，晶体管中漏极(源极)接触(contact)结构之间的空间减小。因此，目前形成接触的制程可能会使栅极和漏极(源极)接触之间的电容(Cgd)增加。

如何减小晶体管中栅极和漏极(源极)接触之间的电容，成为本领域亟需解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种改进的晶体管及其形成方法，可以减小栅极和漏极(源极)接触之间的电容。

根据本发明的第一方面，公开一种形成晶体管的方法，包括：

提供基板以及形成在所述基板上的栅极结构；

在所述栅极结构之间形成牺牲层；

在所述牺牲层的一部分上形成遮罩层，所述牺牲层包括由所述遮罩层遮住的第一部分和未由所述遮罩层遮住的第二部分；

去除所述牺牲层的第二部分形成第一开口；

在所述第一开口中形成所述介电层；

去除所述遮罩层；

去除所述牺牲层的第一部分形成第二开口；以及

在所述第二开口中形成第一接触插塞。

根据本发明的第二方面，公开一种晶体管，包括：

栅极结构，包括在基板的相对侧上的间隔物；

介电层，设置在所述栅极结构之间；以及

第一接触插塞，设置在所述介电层中的所述栅极结构之间；

其中所述间隔物具有平坦的顶表面。

本发明提供的形成晶体管的方法利用在将要形成栅极结构之间的接触的位置处形成的自对准牺牲层，而后去除牺牲层以形成接触(第一接触插塞)，这样可以更加准确的控制接触的尺寸，并且可以使接触与栅极保持分隔开，使得接触仅形成在栅极结构之间的位置处，防止接触形成在栅极结构之上。因此，可以减小栅极和接触(例如漏极接触或源极接触)之间的电容，最小化电容变化，保持运行稳定。

在阅读了随后以不同附图展示的优选实施例的详细说明之后，本发明的这些和其它目标对本领域普通技术人员来说无疑将变得明显。

附图说明

图1是根据一些实施例的用于形成晶体管的方法的流程图。

图2A，3A，4A，5A，6A，7A，8A，9A，10A，11A是根据一些实施例的形成晶体管的各个阶段的横截面图示。

图2B，3B，4B，5B，6B，7B，8B，9B，10B，11B是根据一些实施例的形成晶体管的各个阶段的俯视图。