[发明专利]含有组分渐变高阻缓冲层的双异质结HEMT及其制作方法在审
| 申请号： | 201811439401.1 | 申请日： | 2018-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN109638066A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;储佳焰;冯春;王权;姜丽娟;肖红领;李巍;王茜 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了含有组分渐变高阻缓冲层的双异质结HEMT及其制作方法，其中，该双异质结HEMT，包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；高迁移率沟道层，位于高阻缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；其中，高阻缓冲层包含：故意掺杂层和位于故意掺杂层之上的非故意掺杂组分渐变层，且该非故意掺杂组分渐变层沿着器件外延生长的方向组分渐变减少。该器件一方面提高了沟道电子迁移率和对二维电子气的限制能力、降低器件的缓冲层漏电、以及提高击穿电压和栅调控能力；另一方面，通过利用高阻缓冲层铝镓氮的铝组分渐变，降低晶格应变，减少压电极化，整体提高HEMT器件工作的稳定性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 高阻缓冲层 组分渐变 双异质结 高迁移率 掺杂层 成核层 沟道层 势垒层 衬底 掺杂 二维电子气 调控能力 沟道电子 击穿电压 降低器件 晶格应变 外延生长 压电极化 漏电 盖帽层 缓冲层 铝镓氮 迁移率 制作 | ||
【主权项】：
1.一种含有组分渐变高阻缓冲层的双异质结HEMT，其特征在于，包括：衬底；成核层，位于衬底之上；高阻缓冲层，位于成核层之上；高迁移率沟道层，位于高阻缓冲层之上；势垒层，位于高迁移率沟道层之上；盖帽层，位于势垒层之上；其中，所述高阻缓冲层包含：故意掺杂层和位于故意掺杂层之上的非故意掺杂组分渐变层，且该非故意掺杂组分渐变层沿着器件外延生长的方向组分渐变减少。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所;中国科学院大学，未经中国科学院半导体研究所;中国科学院大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811439401.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
