[发明专利]一种自发渐变掺杂钙钛矿薄膜、制备方法及其应用在审
| 申请号： | 201811438837.9 | 申请日： | 2018-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN109786553A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 杨化桂;乔红伟;侯宇 | 申请（专利权）人： | 华东理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 200137 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种自发渐变掺杂钙钛矿薄膜、制备方法及其应用，所述钙钛矿材料分子式是Cs0.1FA0.9PbI3，掺杂离子分子式为SbCl3、InCl3，钙钛矿材料以八面体的晶体均匀的覆盖在基底上，而掺杂离子梯度分布在钙钛矿薄膜的上下两边，微量的掺杂离子存在薄膜中间部分。通过容忍因子计算，选用非容忍的异价金属离子，一步法形成掺杂离子梯度分布的钙钛矿薄膜。这种自发的渐变掺杂可形成剪切式能带，有利于载流子传输。通过这种方法制备的钙钛矿太阳能电池光电转换效率可达21.04％，填充因子达到0.84。本发明在空间调控载流子传输和提高器件光电转换效率方面具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | 钙钛矿薄膜 掺杂离子 渐变 制备 光电转换效率 钙钛矿材料 载流子传输 掺杂 梯度分布 太阳能电池 金属离子 空间调控 填充因子 因子计算 重要意义 八面体 钙钛矿 剪切式 一步法 基底 异价 薄膜 应用 两边 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种自发渐变掺杂的钙钛矿薄膜，其特征在于，所述钙钛矿材料分子式是Cs0.1FA0.9PbI3，掺杂离子分子式为SbCl3、InCl3，钙钛矿材料以八面体的晶体均匀的覆盖在基底上，而掺杂离子梯度分布在钙钛矿薄膜的上下两边，微量的掺杂离子存在薄膜中间部分。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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