[发明专利]一种回收再利用晶体硅切割废料浆的方法

摘要

本发明公开了一种回收再利用晶体硅切割废料浆的方法，属于硅材料制备的废料回收技术领域，将晶体硅切割废料浆采用固液分离、净化除杂、压制球团、高温熔炼和定向凝固即可得到工业硅、高纯硅或者太阳能级晶体硅，解决了现有回收晶体硅切割废料浆的方法存在工艺复杂、成本较高，难以产业化，以及回收利用率低的问题。

主权项

1.一种回收再利用晶体硅切割废料浆的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将晶体硅切割废料浆过滤或离心分离，获得固体物料和液体物料；步骤2：将固体物料置于真空度0.1～5Pa和温度80～200℃条件下，烘干0.5～1.5h，然后降温至40℃以下，获得粉状固体物料；步骤3：将粉状固体物料利用熔融镁液制成镁硅合金熔体，获得碳化硅和氧化硅粉料，然后将粉料进行酸洗，得到净化物料；步骤4：将净化物料水洗至PH值为6～7后，再进行固液分离得到含水率≤30wt％的水洗物料；步骤5：按重量比，水洗物料∶高纯碳粉∶粘结剂＝1∶(0～20％)∶(0.5～2.5％)进行配料，混合均匀后，采用压制压力为0.2～500MPa的常规压制或真空压制方法压制成团块；步骤6：将团块烘干2～12h至团块温度为50～200℃，含水率≤5wt％后，在高于1430℃的条件下，进行熔炼，制成工业硅块或高纯硅块；步骤7：在真空度≤1000Pa、温度＞1450℃、冷却速率≤200mm/min条件下，将工业硅块或高纯硅块进行定向凝固，出炉冷却后将硅锭底部和顶部杂质切除，得到纯度≥95％的高纯硅或太阳能级晶体硅。