[发明专利]3D NAND存储器及其形成方法

摘要

一种3D NAND存储器及其形成方法，其中所述3D NAND存储器的形成方法，在形成堆叠结构后，无需先将堆叠结构的外围区域通过多次掩膜和刻蚀工艺形成台阶区，可以直接在外围区上的堆叠结构中形成若干接触通孔，极大的简化了制作工艺，降低了制作成本，并且，控制栅和导电接触部可以同时形成，相比于现有的控制栅和导电接触部在不同步骤形成的工艺，极大的简化了工艺步骤。并且3D NAND存储器的形成方法还能够防止误对准、过刻蚀和欠刻蚀等问题的产生。

主权项

1.一种3D NAND存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括外围区和核心阵列区；在所述半导体衬底的外围区和核心阵列区上形成堆叠结构，所述堆叠结构包括交替层叠的绝缘层和牺牲层；刻蚀所述外围区上的堆叠结构，在外围区上的堆叠结构中形成深度不同的若干接触通孔，所述若干接触通孔的底部分别暴露出不同层的牺牲层表面；在所述若干接触通孔的侧壁和底部表面以及堆叠结构的表面上形成支撑材料层；去除所述牺牲层，形成若干空腔；去除所述若干接触通孔底部的支撑材料层，使得每个接触通孔与底部对应的一个空腔连通；向所述若干接触通孔及其对应连通的空腔中填充导电材料，形成控制栅和与控制栅连接的导电接触部。