[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811419010.3 | 申请日： | 2018-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN109860358B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 郭炳磊;王群;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述电子阻挡层包括至少一个复合层，所述复合层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层为N型掺杂的GaN层，所述第二子层为未掺杂的AlGaN层，所述第三子层为P型掺杂的GaN层。本发明可以大大提高空穴的迁移率，有利于有源层中电子和空穴复合发光，最终提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述电子阻挡层包括至少一个复合层，所述复合层包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层为N型掺杂的GaN层，所述第二子层为未掺杂的AlGaN层，所述第三子层为P型掺杂的GaN层。
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