[发明专利]大尺寸中孔单晶金红石二氧化钛可控生长的制备方法在审
| 申请号： | 201811399879.6 | 申请日： | 2018-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN111206281A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 刘岗;邓国强;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16;C30B7/10 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及模板法中孔金属氧化物制备领域，具体为一种大尺寸中孔单晶金红石二氧化钛可控生长的制备方法。该方法通过湿化学过程以四氯化钛作为前驱体，含有极低浓度种子的二氧化硅球作为模板，水热生长具有特定晶面暴露的金红石二氧化钛，刻蚀模板后得到大尺寸中孔单晶金红石二氧化钛。本发明将含有种子的硅球研磨之后重新分散到硅球前驱体溶液中，以获得种子浓度极低的二氧化硅球，将四氯化钛前驱体和上述二氧化硅模板装入反应釜中，经加热处理，刻蚀后得到大尺寸中孔单晶金红石二氧化钛。 | ||
| 搜索关键词： | 尺寸 中孔单晶 金红石 氧化 可控 生长 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811399879.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
