[发明专利]一种半导体器件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体器件，在存储器件所在的半导体衬底中，半导体衬底可以经过减薄，这样，可以通过蚀刻与填充等工艺制作贯通衬底的绝缘环，将其中的衬底和周围的衬底隔离开，而绝缘环中的衬底中形成有扩散层，从而，在绝缘环中形成了由扩散层调节阻值的电阻结构，该电阻结构通过两个引出结构将其扩散层引出，通过引出结构即可以实现对该电阻结构的连接及使用。该电阻结构可以形成于存储器件所在的经减薄后的衬底中，可以在这些区域的衬底中制作绝缘环而形成独立的电阻结构，该电阻结构由扩散层调节阻值，进而通过扩散层的引出结构将电阻结构引出，减小外围电路所在衬底的有效面积，提高芯片的集成度。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一半导体衬底，所述第一半导体衬底具有第一表面和与其相对的第二表面，所述半导体衬底包括第一区域和第二区域，所述第一区域的第一表面上形成有存储器件；所述第二区域中贯通所述半导体衬底的绝缘环；所述绝缘环内位于所述第一表面衬底中的扩散层；位于所述第二区域的第一表面上的覆盖层；所述覆盖层中所述扩散层的第一引出结构和第二引出结构。